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- 近日，英飞凌宣布在其现有的高压碳化硅(SiC)MOSFETCoolSic系列中增加一个650V系列。 该产品建立在其先进的SiC沟槽技术之上。与上一代硅(Si)半导体相比，这些650V系列MOSFET的反向恢复电荷(Qrr)和漏源电荷(Qoss)降低了80%，即使在较高电流下也能实现出色的开关性能。这些降低的开关损耗允许高频、高效操作，从而能够使用更小的滤波组件，并最终提高功率密度。
- AehrTestSystems宣布：收到2230万碳化硅晶圆订单[ 04-07 13:41 ]
- 近日，AehrTestSystems宣布，其领先的碳化硅已收到超过350万美元（2230万人民币）的订单WaferPak™全晶圆接触器的测试和老化客户，用于多种新的碳化硅器件设计以及多个碳化硅器件的批量生产能力订单，这些器件现在正在加速生产以满足电动汽车(EV)半导体的批量生产能力。 Aehr的FOX-XP系统和WaferPaks不仅支持目前大量出货的6英寸（150毫米）直径碳化硅晶圆，而且还支持未来的8英寸（200毫米）晶圆。
- 国星光电：SiC功率分立器件已完成多个试产订单[ 04-06 13:39 ]
- 近日，国星光电发布年度业绩报告，报告期内推出了SiC功率分立器件、SiC功率模块、GaN器件3大系列产品。 其中，SiC功率模块及GaN器件新品实验线已投入生产运作，可迅速响应对接客户个性化的需求；SiC功率分立器件产品产线已投入使用，并完成了多个合作商的试产订单。同时，他们也积极布局三代半上游外延芯片领域，子公司国星半导体现已具备硅基GaN芯片相关技术储备，并积极与高校和研究所展开GaN功率器件等的研发工作，并参与了两项第三代半导体方向的省级研发项目。
- 恩智浦、日立合作共同加速SiC在EV中的应用[ 04-05 10:37 ]
- 3月21日，恩智浦官网发布公告称，他们与日立能源合作，加速在电动汽车中采用碳化硅(SiC)功率半导体模块。 该项目旨在为由恩智浦GD3160隔离式高压栅极驱动器和日立能源SiCMOSFET功率模块组成的动力总成逆变器提供更高效、可靠和功能安全的基于SiCMOSFET的解决方案。
- 三安：2025年6寸碳化硅晶圆需求达437万片[ 04-03 10:30 ]
- 近日，三安光电董事长特别助理、北京三安光电有限公司总经理陈昭亮演讲。陈昭亮指出，2025年全球碳化硅衬底与晶圆的情况将出现供不应求的局面，2025年6寸碳化硅晶圆需求在饱受与乐观情形下分别为219和437万片。 根据Yole预测，车用碳化硅需求占全行业的60%，其他代表性行业，光伏、储能、充电基建、电源、轨交等对碳化硅的需求占40%，由此推算，2025全球需要6寸碳化硅晶圆保守估计365万片。碳化硅产能缺口将达到123万片，在乐观情形下达到的728万片，碳化硅产能的缺口达到468万片，全球碳化硅衬底与晶圆将出
