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- 碳化硅功率模块的应用[ 02-21 12:18 ]
- 碳化硅模块是支撑各种工业应用的关键技术之一，相比传统硅基IGBT功率模块具有更高功率密度、更高可靠性、更高工作结温、更低寄生电感、更低热阻等特性。在需要提升系统功率密度、使用更高主开关频率的尖端电力电子设备的性能升级过程中，现有硅基IGBT配合硅基FRD（快恢复二极管）的性能已无法完全满足要求，需要高性能与性价比兼具的主开关器件。 随着SiC技术的日趋成熟和商业化应用，其独特的耐高温性能不断加速推动结温从150℃迈向175℃，甚至已出现了200℃的产品。借助于这种独特的高温特性和低开关损耗优势，可以为未来的高
- 烧结温度对SiC多孔陶瓷性能的影响[ 02-20 08:36 ]
- (1)XRD分析表明，随着烧结温度的升高，SiO2的特征衍射峰强度逐渐升高，在1690℃时SiO2的特征衍射峰强度最高，这是因为烧结温度较高导致了SiC表面发生了氧化反应，形成了致密的氧化膜，包覆了SiC。 (2)气孔率测试发现，随着烧结温度的升高，SiC多孔陶瓷的气孔率呈现出先降低后增加的趋势，在1660℃时气孔率最低为32.1％。 (3)分析发现，在1600和1630℃下烧结的SiC多孔陶瓷中的小颗粒较多，且SiC多孔陶瓷的颗粒较为分散；随着烧结温度的升高，小颗粒相逐渐减少，断面出现了较多的气孔，且
- 丝瓜衍生环保型碳化硅陶瓷基复合相变材料[ 02-19 10:22 ]
- 据悉南京航空航天大学低碳航空动力与绿色能源创新团队宣益民院士、刘向雷教授等人在Energystoragematerials上发表了题为“Loofah-derivedeco-friendlySiCceramicsforhigh-performancesunlightcapture,thermaltransport,andenergystorage”的研究论文。该工作在团队前期研究（Mater.TodayEnergy,21(2021)100764；Sol.EnergyMaterSol.Cells
- 河南：积极布局5G、半导体材料产业，重点发展碳化硅、氮化镓等第三代半导体材料[ 02-18 08:40 ]
- 在5G方面，要培育引进一批5G智能终端、通信模组、天馈线、5G小型化基站设备、5G高频元器件等制造企业和项目，加快形成5G关键器件及材料生产能力。建设5G产品监测、认证、入网检测等公共服务平台，搭建5G创新中心，提高产业发展综合服务水平。实施5G融合应用工程，重点推动5G在工业互联网、车联网、智慧城市、智慧农业、智慧医疗等领域融合应用，打造一批5G标杆应用场景。 在半导体方面，积极布局半导体材料产业，发展以碳化硅、氮化镓为重点的第三代半导体材料，提升大尺寸单晶硅抛光片、电子级高纯硅材料、区熔硅单晶研发及产业化
- 碳化硅单晶衬底是半导体功率器件产业链上极为关键一环[ 02-17 10:08 ]
- 碳化硅器件性能非常突出，但其生产过程可谓是困难重重。其产业链贯穿了材料、芯片设计、制造工艺等各个环节。相对传统硅基技术而言，宽禁带功率器件由于采用了SiC半导体材料，在各关键技术环节也会遇到新的问题与挑战。 SiC半导体功率器件产业链 从技术的角度来说，与硅基功率器件制作工艺不同，碳化硅器件不能直接制作在碳化硅单晶材料上，需要在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，最后在外延层上制造各类器件。传统的碳化硅外延基于高品质碳化硅单晶衬底，以实现晶格匹配和降低缺陷密度（微管、位错、层错等）。 即是说
