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- SiC功率器件已逐步渗透到生活中的方方面面[ 02-16 10:03 ]
- 以碳和硅组成的化合物半导体碳化硅（SiliconCarbide）为材料制作的功率半导体器件，因其所具备的优异性能与先进性，多年来一直作为“理想的元器件”而备受瞩目。SiC功率元器件现已逐渐成为我们现代日常生活中所普遍使用的“身边的”元器件。 例如，家庭里的SiC有PC电源、太阳能发电功率调节器（家庭用）、空调等；工业中的SiC有数据中心、UPS、工厂搬运机器人、高频感应加热设备（IH）与高频电源、太阳能发电功率调节器（太阳能发电站等非家庭用）等；城市里的Si
- 碳化硅单晶制备技术的难点[ 02-15 10:16 ]
- 碳化硅单晶制备技术包括PVT法（物理气相传输法）、溶液法和高温气相化学沉积法等，目前商用碳化硅单晶生长均采用PVT法。PVT法制备碳化硅单晶的难度在于： ①碳化硅单晶生长设备设计与制造技术。碳化硅长晶炉是晶体制备的载体，也是晶体生长核心技术中的热场和工艺的重要组成部分。针对不同尺寸、不同导电性能的碳化硅单晶衬底，碳化硅长晶炉需要实现高真空度、低真空漏率等各项性能指标，为高质量晶体生长提供适合的热场实现条件。 ②碳化硅粉料合成过程中的环境杂质多，难以获得高纯度的粉料；作为反应源的硅粉和碳粉反应不完全易造成
- 备受瞩目的防弹陶瓷材料——碳化硅[ 02-14 08:59 ]
- 碳化硅共价键极强，在高温下仍具有高强度的键合，这种结构特点赋予了碳化硅陶瓷优异的强度、高硬度、耐磨损、耐腐蚀、高热导率、良好的抗热震性等性能；同时碳化硅陶瓷价格适中，性价比高，是最有发展潜力的高性能装甲防护材料之一。SiC陶瓷在装甲防护领域具有广阔的发展空间，在单兵装备和特种车辆等领域的应用趋于多元化。作为防护装甲材料时，考虑到成本及特殊应用场合等因素，通常将小块排布的陶瓷面板与复合材料背板黏结成陶瓷复合靶板，以克服陶瓷由于拉应力引起的失效，并确保弹丸侵彻时只粉碎单块而不破坏装甲整体。
- 碳化硅防弹陶瓷的制备方法及工艺特点[ 02-13 09:13 ]
- 从陶瓷材料制备工艺的特点可以看出，目前工艺发展较为成熟的是反应烧结、无压烧结和液相烧结，这3种烧结方式的生产成本较低，制备工艺较简单，实现大批量生产的可能性较高。热压烧结和热等静压烧结相对来说会受到产品尺寸的限制，生产成本较高，成熟性较低。超高压烧结、微波烧结、放电等离子烧结和等离子束熔融法综合来说成熟性最低，是较为新颖的制备手段，但对于技术和设备的要求较高，需要投入的生产费用高，实现批量化的可行性较低，常用于实验探索阶段，对实际应用意义不大，较难实现产业化。
- 碳化硅防弹陶瓷仍面临升级和突破发展[ 02-12 09:15 ]
- 尽管碳化硅的防弹潜力非常大，但单相陶瓷断裂韧性、脆性差的问题却不容忽视。而现代科技的发展对防弹陶瓷的功能性与经济性提出了要求：多功能、高性能、轻质、低成本和安全性。因此，专家学者们近年来希望通过微观调节包括多元陶瓷体系复合、功能梯度陶瓷、层状结构设计等来实现陶瓷的强韧化、轻量化和经济化，并且这样的护甲相对于如今的装甲重量轻，更好地提高了作战单位的机动性能。 功能梯度陶瓷即通过微观设计组分材料性能呈规律性变化。比如硼化钛与金属钛以及氧化铝、碳化硅、碳化硼、氮化硅与金属铝等金属/陶瓷复合体系，性能沿厚度位置呈梯度
