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- 国产碳化硅衬底龙头山东天岳科创板上市[ 01-04 10:44 ]
- 12月30日，国内碳化硅衬底材料企业山东天岳先进科技股份有限公司公告首次公开发行股票并在科创板上市。本次发行价格82.79元/股，预计募集资355757.7783万元（约35.6亿元）,高于此前招股意向书中披露的200000万元(20亿元)。 9月7日，天岳先进首发申请获上交所上市委员会通过，拟募集资金20亿元主要用于碳化硅半导体材料项目，以提高公司碳化硅衬底的产业化能力。招股书中提到，全球碳化硅半导体产业市场快速发展并已迎来爆发期，国际巨头纷纷加大投入实施扩产计划，为了追赶与头部企业之间在产能上的差距，山东
- 碳化硅反射镜的制备与加工[ 01-03 08:52 ]
- 把一块粗糙的、灰黑的碳化硅陶瓷块镜坯打造为光可鉴人的反射镜，变化之大完全不亚于丑小鸭变天鹅。如何在得到较高表面质量的同时实现快速加工，则是材料学界一直以来的研究重点。 1.镜坯的制造 制备SiC反射镜坯的工艺有许多种，除了热压烧结、气相沉积外，最有应用价值的是反应烧结法，具有成本低和可实现净尺寸烧结等优点。 反应烧结法流程为：利用SiC粉制得所需形状的坯体，然后将该坯体在Si气氛下烧结。整个工艺中关键点有以下几个：①烧结体中尽可能少气孔和裂纹；③坯体具有轻量化结构。 2.铣磨粗抛 刚烧
- 硼、碳和铝烧结助剂对SiC陶瓷烧结的影响[ 12-30 14:42 ]
- 研究发现，SiC陶瓷烧结时可加入B、C、Al来实现致密化，B系与C系烧结助剂的添加能够降低SiC晶界能与表面能的值，增强扩散的驱动力，而Al系烧结助剂可以以固溶的方式活化晶格，促进致密化进行。 对于无压或热压烧结SiC，在不使用烧结助剂情况下基本难以实现致密烧结，但烧结助剂加入不当又会使材料性能恶化。SiC陶瓷的力学性能受游离C的分布影响很大，而B的分布又会使游离C的晶粒由等轴状生长为长柱状，起到界间强化的作用。另外，温度的升高会促进基体晶粒的多边形化，但过大的基体晶粒尺寸又会对晶界处游离C的生长产生抑制作用
- 氟化物烧结助剂对SiC陶瓷烧结的影响[ 12-30 14:39 ]
- 有研究表明，SiC陶瓷样品的密度与热导率随YF3的加入显示先增后减的变化，当加入5%的YF3时，密度与热导率均达到最大。YF3作为烧结助剂可以提高SiC陶瓷的致密度和热导率主要是由于YF3可以与SiO2反应生成第二相，同时达到除氧的目的，净化SiC的晶格。而生成的液相也可以促进烧结的进行，降低烧结温度。 密度与热导率出现先增后减的变化，原因可能有如下两点: 第一，添加适量烧结助剂形成的液相可以使陶瓷致密化程度提高。YF3添加量过少，不足以形成足够的液相，而过量的YF3又会产生过多液相，粘度增加，均不利于
- 阻碍SiC陶瓷烧结的因素[ 12-30 14:34 ]
- SiC的构成单元为Si与C原子比为1:1的正四面体，在SiC晶格中，Si与C之间的平均键能为300kJ/mol，共价键与离子键比值约为4:1，这使得其难以烧结成致密陶瓷。阻碍SiC陶瓷烧结的因素有以下两个方面： ①热力学方面 SiC的晶界能较高，粉体颗粒表面能相对较低，SiC陶瓷烧结推动力低，烧结难度增大。目前可通过引入烧结助剂、选用纳米级原料细粉及施加外部压力的方式来促进烧结。 ②动力学方面 SiC晶格原子间的键能使得物质迁移所需能量高，物质难以扩散，而蒸发—凝聚传质至少需要蒸
