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- PVT碳化硅晶体生长技术难点[ 03-15 15:42 ]
- 目前碳化硅单晶的生长方法主要包括以下三种：液相法、高温化学气相沉积法、物理气相传输法（PVT）。其中PVT法是目前SiC单晶生长研究最多、最成熟的技术，其技术难点在于： （1）碳化硅单晶在2300°C以上高温的密闭石墨腔室内完成“固-气-固”的转化重结晶过程，生长周期长、控制难度大，易产生微管、包裹物等缺陷。 （2）碳化硅单晶包括200多种不同晶型，但生产一般仅需一种晶型，生长过程中易产生晶型转变造成多型夹杂缺陷，制备过程中单一特定晶型难以稳定控制，例如目前主流的4H型。
- 高纯度碳化硅生长原料合成技术[ 03-14 15:40 ]
- 生长SiC单晶用的SiC粉体纯度要求很高，其中杂质含量应至少低于0.001%。在众多SiC粉合成方法中，气相法通过控制气源中的杂质含量可以获得纯度较高的SiC粉体；液相法中只有溶胶-凝胶法可以合成纯度满足单晶生长需要的SiC粉体；固相法中的改进自蔓延高温合成法将固态的Si源和C源作为原料，使其在1400～2000℃的高温下持续反应，最后得到高纯SiC粉体，是目前使用范围最广，合成工艺最成熟的SiC粉体的制备方法。 天岳先进使用的高纯碳化硅是将高纯硅粉和高纯碳粉按工艺配方均匀混合，在2000℃以上的高温条件下，
- 碳化硅单晶生长炉制造技术[ 03-12 15:37 ]
- 碳化硅长晶炉是晶体制备的载体，也是晶体生长核心技术中的热场和工艺的重要组成部分。针对不同尺寸、不同导电性能的碳化硅单晶衬底，碳化硅长晶炉需要实现高真空度、低真空漏率等各项性能指标，为高质量晶体生长提供适合的热场实现条件。 碳化硅单晶生长热场是碳化硅单晶生长的核心，决定了单晶生长中温度的轴向和径向梯度、气相流场等关键反应条件。热场的配置核心是设置合理的轴向温度梯度和径向温度梯度，以保证热场内生长的晶体具有较小的原生内应力，同时具备合理可控的生长速率。
- 碳化硅作为强共价键化合物所具有的显著特点[ 03-10 15:20 ]
- 碳化硅是一种强共价键化合物，具有以下显著特点： 1）密度低、弹性模量高； 2）硬度高，耐磨损性能好； 3）化学稳定性好，耐腐蚀性能优异； 4）高温强度高、抗蠕变性好； 5）电阻率可控，具有半导体特性； 6）热膨胀系数低、热导率高。
- 碳化硅聚焦环陶瓷材料[ 03-09 17:16 ]
- 随着半导体技术的发展，等离子体刻蚀逐渐成为半导体制造工艺广泛应用的技术。等离子体刻蚀产生的等离子体具有很强的腐蚀性，在刻蚀晶圆的过程中也会对工艺腔腔体和腔体内部件造成严重腐蚀，所以半导体加工设备中与等离子体接触的部件需要有较好的耐等离子体刻蚀性能。 相对于有机和金属材料，陶瓷材料一般都具有较好的耐物理和化学腐蚀性能以及很高的工作温度，因而在半导体工业中，多种陶瓷材料已成为半导体单晶硅片制造工序和前道加工工序的设备核心部件制造材料，如SiC，AlN，Al2O3和Y2O3等。在等离子环境中陶瓷材料的选择取决于核心
