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    SiC晶圆材料主要加工工艺[ 08-13 15:29 ]
    碳化硅(SiC)材料具有尺寸稳定性好、弹性模量大、比刚度大、导热性能好和耐腐蚀等性能,广泛应用于半导体、光学镜面、机械密封等现代工业领域,许多领域往往对其表面加工质量有较高的要求,SiC的表面平坦化质量直接影响制件性能,决定了制件的成品率。随着SiC的应用和发展逐步广泛和深入,其加工精度要求日益增长。但SiC属于典型的脆硬性材料,其平坦化加工时在力的作用下易产生微裂纹,亚表层缺陷多,使得该材料面临加工效率低、加工困难及加工成本居高不下等问题,制约了其大规模应用和推广。 目前SiC材料加工工艺主要有以下几道工序
    天岳先进6英寸导电型碳化硅衬底获14亿订单[ 08-12 14:25 ]
    粉体圈消息:近期,天岳先进发布公告,公司签署了时长三年(2023-2025)的6英寸导电型碳化硅衬底产品销售合同,据测算,预计含税销售三年合计金额为人民币13.93亿元。但对于签约客户名称和具体情况,天岳先进本次并未披露。 去年12月30日,天岳先进首次公开发行股票并在科创板上市,据招股说明书,拟募集资金20亿元主要用于碳化硅半导体材料项目,该项目主要用于生产6英寸导电型碳化硅衬底材料,计划于2026年达产,达产后将新增碳化硅衬底材料产能约30万片/年。 今年6月,天岳先进在投资者互动平台表示,他们已成
    2022车用碳化硅器件市场规模有望突破10亿美元[ 08-11 14:22 ]
    中国粉体网讯 据研究机构TrendForce预测,随着越来越多车企开始导入碳化硅功率器件,2022年这一市场规模有望达到10.7亿美元,2026年将进一步攀升至39.4亿美元。 TrendForce表示,目前碳化硅功率器件份额主要集中于欧美日IDM大厂,如意法半导体、安森美、Wolfspeed、英飞凌、罗姆,这些巨头目前还正在积极向上游衬底材料环节布局,已试图进一步降低成本,提高碳化硅器件性价比和供货稳定性,未来随着衬底材料制备、加工技术进步,模组设计、封装工艺迭代,碳化硅器件有望从高端车型逐渐渗透
    Al2O3-SiC-C浇注料中碳氧化的问题[ 08-10 11:30 ]
    高炉炼铁是钢铁工业普遍采用的炼铁工艺流程。在相当长时间内,高炉炼铁仍将是炼铁工艺的首*选。高炉出铁沟是铁水和炉渣熔化后的必要通道。高炉出铁沟浇注料是保障高炉出铁沟出铁安全、稳定、高效运行的基础,延长高炉出铁沟浇注料的使用寿命可以有效降低炼铁成本和提高生产效率。因此,它是炼铁工艺中的基础和关键耐火材料之一。 由于出铁沟频繁受到高温铁水和熔渣的机械冲蚀和侵蚀,所以出铁沟浇注料必须具有优良的抗热冲击性和抗渣性。Al2O3-SiC-C浇注料因具有良好的抗侵蚀性和抗热震性等优点,是当今国内外高炉出铁沟工作衬的普遍选择。Al
    理想汽车重磅布局碳化硅(SiC)芯片[ 08-09 17:24 ]
    理想汽车创始人、董事长兼CEO李想曾表示,碳化硅电驱系统是理想汽车高压纯电平台的四个核心技术之一。 日前,理想汽车重磅布局碳化硅(SiC)芯片,功率半导体研发及生产基地日前落户苏州。 此次落户的理想汽车功率半导体研发及生产基地由理想汽车与国内半导体龙头企业三安光电共同出资组建苏州斯科半导体有限公司,主要专注于第三代半导体碳化硅车规芯片模组的研发及生产。 早在1月25日,北京车和家和三安光电宣布共同设立经营一家合资公司,将主要从事新能源汽车SiC芯片和模块的研发,这家合资公司可能就是2022年3月成
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