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- 在单晶生长方面SiC晶体制备的两个难点[ 05-08 08:34 ]
- 与传统的单晶硅使用提拉法制备不同，目前规模化生长SiC单晶主要采用物理气相输运法(PVT)或籽晶的升华法。这也就带来了SiC晶体制备的两个难点： 1、生长条件苛刻，需要在高温下进行。一般而言，SiC气相生长温度在2300℃以上，压力350MPa，而硅仅需1600℃左右。高温对设备和工艺控制带来了极高的要求，生产过程几乎是黑箱操作难以观测。如果温度和压力控制稍有失误，则会导致生长数天的产品失败。 2、生长速度慢。PVT法生长SiC的速度缓慢，7天才能生长2cm左右。而硅棒拉晶2-3天即可拉出约2m长的8英
- 一图搞懂碳化硅——起源篇[ 05-01 17:21 ]
- SiC的不同晶体结构[ 04-16 13:30 ]
- 由于Si与C双原子层堆积序列的差异会导致不同的晶体结构，SiC有着超过200种（目前已知）同质多型族。 其中最被人熟知的便是立方密排的3C-SiC和六方密排的2H-SiC、4H-SiC、6H-SiC（碳化硅具有优良的物理和化学性能）。 最常用的多型是： 4H-SiC——功率集成电路应用 6H-SiC——射频应用 在不同的晶面上生长不同的晶锭多型体： 4H-SiC——在碳(C)面晶种上生长 6H-SiC&
- 碳化硅陶瓷换热器的优点[ 04-12 14:14 ]
- 碳化硅陶瓷换热器有以下几个优点： （1）碳化硅陶瓷换热器的使用方法直接、简单、快捷、高效、环保、节能。不需掺冷风及高温保护，维修成本低，无需对陶瓷换热器进行任何操作。适用于各种环境的燃气工业窑炉的余热回收利用，尤其解决了各种高温工业窑炉余热温度过高无法利用的难题； （2）国家要求陶瓷换热器温度≥1000℃，由于它耐高温，所以就可以放在高温区域，温度越高，换热效果越好，节能越多； （3）高温情况下替代金属换热器； （4）解决化工行业热交换、耐腐蚀的难题； （5）碳化硅陶瓷换热器适应
- 昭和电工宣布量产6英寸碳化硅晶圆片[ 04-02 10:17 ]
- 近期，日本ShowaDenkoKK(SDK，昭和电工)宣布已开始量产直径6英寸(150mm)的碳化硅单晶晶片(SiC晶片)，其可满足迅速增长的第三代功率半导体，特别是用于xEV、轨道车辆和工业设备的市场。 作为独立的SiC外延片供应商，SDK为功率器件制造商提供BestinClassSiC外延片，全球市场占有率领先。 2018年，SDK收购新日铁住金集团（现新日铁集团）的SiC晶圆相关资产，就此致力于开发用于量产SiC晶片的技术，并且旨在提高SiC外延片质量并为其建立稳定的供应体系。SDK同时表示，多元
