欢迎光顾金蒙新材料官方网站!

金蒙新材料

金蒙新材料
碳化硅生产企业
服务热线:
4001149319
碳化硅
联系金蒙新材料
全国咨询热线:4001149319

电话:

0539-6281618/6281619

传真:0539-6281097

邮箱:jm@jm-sic.com

地址:山东省临沭县泰安路中段

    山西烁科晶体成功实现8英寸碳化硅晶体小批量量产[ 03-05 13:34 ]
    近日,电科材料下属山西烁科晶体有限公司(以下简称烁科公司)成功研制出8英寸碳化硅晶体,实现了8英寸N型碳化硅抛光片小批量生产。 由于碳化硅对温度及压力控制有着极其苛刻的要求,而且其本身具有的高硬度、高脆性、低断裂韧性等特点,都使得大尺寸碳化硅单晶的制备及切割成为非常棘手的问题。 烁科公司专业深耕碳化硅材料领域,经过刻苦攻关,于去年8月研制出8英寸碳化硅晶体,成功解决大尺寸单晶制备的重要难题。近日又再次取得重大突破,实现8英寸N型碳化硅抛光片小批量生产,向8英寸国产N型碳化硅抛光片的批量化生产迈出了关键一
    晶盛机电年产40万片碳化硅衬底晶片生产项目3月开工[ 03-04 09:30 ]
    近日,由浙江晶盛机电股份有限公司总投资50亿元建设的“碳化硅衬底晶片生产项目”落户宁夏银川。其中,一期预计3月开工建设,投资总额33.6亿元,一期建成达产后预计年产6英寸碳化硅晶片40万片。 晶盛机电主要围绕硅、碳化硅、蓝宝石三大主要半导体材料开展业务,具备全球最大的700Kg蓝宝石生长能力。据2月7日募资投建碳化硅衬底晶片生产基地项目和年产80台套半导体材料抛光及减薄设备生产制造项目的公告披露,晶盛机电已组建一条从原料合成-晶体生长-切磨抛加工的中试产线,6英寸碳化硅晶片已获得客户验
    中国电子科技集团公司第二研究所(电科二所)成功研制出首片碳化硅芯片[ 03-03 08:23 ]
    近日,据中国日报报道,中国电子科技集团公司第二研究所(电科二所)成功研制出首片碳化硅芯片,下一步,电科二所将全力以赴推进实验室二期碳化硅芯片中试线和碳化硅器件智能封装线的建设。 2021年9月,中国电科二所承担山西太原某实验室6英寸SiC芯片整线系统集成项目,该项目要求4个月内完成整线设备评估、选型、采购、安装、调试,并研制出第一片芯片。电科二所调动资源力量,在SiC激光剥离设备研制上取得突破性进展,先后完成单机设备调试、碳化硅SBD整线工艺调试。 碳化硅硬度极高,传统衬底加工工艺切割速度慢,晶体与切割
    高导热碳化硅陶瓷的需求量急剧增长[ 03-02 09:19 ]
    碳化硅作为一种重要的结构陶瓷材料,凭借其优异的高温力学强度、高硬度、高弹性模量、高耐磨性、高导热性、耐腐蚀性等性能,不仅应用于高温窑具、燃烧喷嘴、热交换器、密封环、滑动轴承等传统工业领域,还可作为防弹装甲材料、空间反射镜、半导体晶圆制备中夹具材料及核燃料包壳材料。 随着科技的不断发展,碳化硅陶瓷在半导体领域的应用需求量急剧增长,而高热导率是其应用于半导体制造设备元器件的关键指标,因此加强高导热碳化硅陶瓷的研究至关重要。减少晶格氧含量、提高致密性、合理调控第二相在晶格中的分布方式是提高碳化硅陶瓷热导率的主要方法
    碳化硅在半导体领域的应用[ 03-01 09:16 ]
    研磨盘、夹具均是半导体工业中硅晶片生产的重要工艺装备。研磨盘若使用铸铁或碳钢材料,其使用寿命短、热膨胀系数大,在加工硅晶片过程中,特别是高速研磨或抛光时,由于研磨盘的磨损和热变形,使硅晶片的平面度和平行度难以保证。采用碳化硅陶瓷的研磨盘由于硬度高而磨损小,且热膨胀系数与硅晶片基本相同,因而可以高速研磨抛光。 另外,在硅晶片生产时,需要经过高温热处理,常使用碳化硅夹具运输,其耐热、无损,可在表面涂敷类金刚石(DLC)等涂层,可增强性能,缓解晶片损坏,同时防止污染扩散。 此外,作为第三代宽带隙半导体材料的代
    碳化硅技术在家电行业的应用[ 02-26 13:37 ]
    回溯半导体技术的发展历程,大致分为3个时代。第一代半导体材料主要是硅和锗,上世纪60年代之后,硅基半导体逐渐成为主流,直到现在依然是应用最为广泛的半导体材料,全球95%以上的芯片是以硅片为基础材料制成的。第二代半导体材料的代表是砷化镓,可以制造更高频、高速的集成电路,但是以目前的需求来看,砷化镓材料的禁带宽度依然较小。第三代半导体材料是以碳化硅、氮化镓为代表的材料,可以制备耐高压、高频的功率器件。这些材料中,碳化硅是综合性能最好、商品化程度最高、技术最成熟的第三代半导体材料,目前已经在5G通信、PD快充、新能源汽车
    SiC碳化硅——功率半导体皇冠上的明珠[ 02-24 14:26 ]
    在近两年技术产品发布上,“SiC碳化硅”成为所有跨国零部件供应商和主机厂的经常提起的明星产品,包括麦格纳、博格华纳、马勒、大陆集团等等,都纷纷宣称他们用了碳化硅。 例如奔驰今年初的发布的EQXX,就宣称:“搭载最大功率150kW的后桥电机,应用了碳化硅功率模块,进一步降低了损耗。” 可以想像的是,未来汽车都会电动化,那么对SiC碳化硅功率器件的需求是庞大的。市场调研咨询公司Yole发布的预测显示,从现在到2025年,碳化硅市场每年的增速将达到30%,市场规
    SiC器件的发展将为设备带来哪些变化?[ 02-23 12:23 ]
    在工业领域需要各种节能和高效的产品和应用方案。凭借高耐压、高节温特性,SiC器件,特别是模块正在输配电、工业变频、轨道牵引、可再生能源等领域为实现高效、节能、轻量小型的电力转换设备做出贡献。SiC器件的发展将为设备带来以下的变化: ·高温化:在一些高温场所,用SiC器件可以比原来的硅基承受更高温度; ·高压化:原来为了达到高压,单个器件做不到,要串联或使用级联方式把它们拼凑起来承受高电压,SiC耐压很高,可以直接使用; ·多功能化:因为SiC可以做的东西很
    SiC碳化硅在电动车中起到什么作用?[ 02-22 14:12 ]
    举个例子,现在很多人手机都用上了“氮化镓”充电器,这种新材料充电器体积非常小,但发热小充电效率很高。而汽车用SiC碳化硅就是与消费电器里氮化镓一样神奇的功率半导体。 首先说说SiC碳化硅的作用。一辆电动车充电的时候,它需要把交流电转换成直流电,然后存储在锂电池中。锂电池中的高压直流转化为交流电,然后提供交流电动机使用。 上面这些交流—直流—交流等复杂的变换过程,我们称为整流或逆变,很不幸这个过程都需要发热,都会产生功率损耗。 电动汽车涉及功率半导体的
    碳化硅功率模块的应用[ 02-21 12:18 ]
    碳化硅模块是支撑各种工业应用的关键技术之一,相比传统硅基IGBT功率模块具有更高功率密度、更高可靠性、更高工作结温、更低寄生电感、更低热阻等特性。在需要提升系统功率密度、使用更高主开关频率的尖端电力电子设备的性能升级过程中,现有硅基IGBT配合硅基FRD(快恢复二极管)的性能已无法完全满足要求,需要高性能与性价比兼具的主开关器件。 随着SiC技术的日趋成熟和商业化应用,其独特的耐高温性能不断加速推动结温从150℃迈向175℃,甚至已出现了200℃的产品。借助于这种独特的高温特性和低开关损耗优势,可以为未来的高
    烧结温度对SiC多孔陶瓷性能的影响[ 02-20 08:36 ]
    (1)XRD分析表明,随着烧结温度的升高,SiO2的特征衍射峰强度逐渐升高,在1690℃时SiO2的特征衍射峰强度最高,这是因为烧结温度较高导致了SiC表面发生了氧化反应,形成了致密的氧化膜,包覆了SiC。 (2)气孔率测试发现,随着烧结温度的升高,SiC多孔陶瓷的气孔率呈现出先降低后增加的趋势,在1660℃时气孔率最低为32.1%。 (3)分析发现,在1600和1630℃下烧结的SiC多孔陶瓷中的小颗粒较多,且SiC多孔陶瓷的颗粒较为分散;随着烧结温度的升高,小颗粒相逐渐减少,断面出现了较多的气孔,且
    丝瓜衍生环保型碳化硅陶瓷基复合相变材料[ 02-19 10:22 ]
    据悉南京航空航天大学低碳航空动力与绿色能源创新团队宣益民院士、刘向雷教授等人在Energystoragematerials上发表了题为“Loofah-derivedeco-friendlySiCceramicsforhigh-performancesunlightcapture,thermaltransport,andenergystorage”的研究论文。该工作在团队前期研究(Mater.TodayEnergy,21(2021)100764;Sol.EnergyMaterSol.Cells
    河南:积极布局5G、半导体材料产业,重点发展碳化硅、氮化镓等第三代半导体材料[ 02-18 08:40 ]
    在5G方面,要培育引进一批5G智能终端、通信模组、天馈线、5G小型化基站设备、5G高频元器件等制造企业和项目,加快形成5G关键器件及材料生产能力。建设5G产品监测、认证、入网检测等公共服务平台,搭建5G创新中心,提高产业发展综合服务水平。实施5G融合应用工程,重点推动5G在工业互联网、车联网、智慧城市、智慧农业、智慧医疗等领域融合应用,打造一批5G标杆应用场景。 在半导体方面,积极布局半导体材料产业,发展以碳化硅、氮化镓为重点的第三代半导体材料,提升大尺寸单晶硅抛光片、电子级高纯硅材料、区熔硅单晶研发及产业化
    碳化硅单晶衬底是半导体功率器件产业链上极为关键一环[ 02-17 10:08 ]
    碳化硅器件性能非常突出,但其生产过程可谓是困难重重。其产业链贯穿了材料、芯片设计、制造工艺等各个环节。相对传统硅基技术而言,宽禁带功率器件由于采用了SiC半导体材料,在各关键技术环节也会遇到新的问题与挑战。 SiC半导体功率器件产业链 从技术的角度来说,与硅基功率器件制作工艺不同,碳化硅器件不能直接制作在碳化硅单晶材料上,需要在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料,最后在外延层上制造各类器件。传统的碳化硅外延基于高品质碳化硅单晶衬底,以实现晶格匹配和降低缺陷密度(微管、位错、层错等)。 即是说
    SiC功率器件已逐步渗透到生活中的方方面面[ 02-16 10:03 ]
    以碳和硅组成的化合物半导体碳化硅(SiliconCarbide)为材料制作的功率半导体器件,因其所具备的优异性能与先进性,多年来一直作为“理想的元器件”而备受瞩目。SiC功率元器件现已逐渐成为我们现代日常生活中所普遍使用的“身边的”元器件。 例如,家庭里的SiC有PC电源、太阳能发电功率调节器(家庭用)、空调等;工业中的SiC有数据中心、UPS、工厂搬运机器人、高频感应加热设备(IH)与高频电源、太阳能发电功率调节器(太阳能发电站等非家庭用)等;城市里的Si
    碳化硅单晶制备技术的难点[ 02-15 10:16 ]
    碳化硅单晶制备技术包括PVT法(物理气相传输法)、溶液法和高温气相化学沉积法等,目前商用碳化硅单晶生长均采用PVT法。PVT法制备碳化硅单晶的难度在于: ①碳化硅单晶生长设备设计与制造技术。碳化硅长晶炉是晶体制备的载体,也是晶体生长核心技术中的热场和工艺的重要组成部分。针对不同尺寸、不同导电性能的碳化硅单晶衬底,碳化硅长晶炉需要实现高真空度、低真空漏率等各项性能指标,为高质量晶体生长提供适合的热场实现条件。 ②碳化硅粉料合成过程中的环境杂质多,难以获得高纯度的粉料;作为反应源的硅粉和碳粉反应不完全易造成
    备受瞩目的防弹陶瓷材料——碳化硅[ 02-14 08:59 ]
    碳化硅共价键极强,在高温下仍具有高强度的键合,这种结构特点赋予了碳化硅陶瓷优异的强度、高硬度、耐磨损、耐腐蚀、高热导率、良好的抗热震性等性能;同时碳化硅陶瓷价格适中,性价比高,是最有发展潜力的高性能装甲防护材料之一。SiC陶瓷在装甲防护领域具有广阔的发展空间,在单兵装备和特种车辆等领域的应用趋于多元化。作为防护装甲材料时,考虑到成本及特殊应用场合等因素,通常将小块排布的陶瓷面板与复合材料背板黏结成陶瓷复合靶板,以克服陶瓷由于拉应力引起的失效,并确保弹丸侵彻时只粉碎单块而不破坏装甲整体。
    碳化硅防弹陶瓷的制备方法及工艺特点[ 02-13 09:13 ]
    从陶瓷材料制备工艺的特点可以看出,目前工艺发展较为成熟的是反应烧结、无压烧结和液相烧结,这3种烧结方式的生产成本较低,制备工艺较简单,实现大批量生产的可能性较高。热压烧结和热等静压烧结相对来说会受到产品尺寸的限制,生产成本较高,成熟性较低。超高压烧结、微波烧结、放电等离子烧结和等离子束熔融法综合来说成熟性最低,是较为新颖的制备手段,但对于技术和设备的要求较高,需要投入的生产费用高,实现批量化的可行性较低,常用于实验探索阶段,对实际应用意义不大,较难实现产业化。
    碳化硅防弹陶瓷仍面临升级和突破发展[ 02-12 09:15 ]
    尽管碳化硅的防弹潜力非常大,但单相陶瓷断裂韧性、脆性差的问题却不容忽视。而现代科技的发展对防弹陶瓷的功能性与经济性提出了要求:多功能、高性能、轻质、低成本和安全性。因此,专家学者们近年来希望通过微观调节包括多元陶瓷体系复合、功能梯度陶瓷、层状结构设计等来实现陶瓷的强韧化、轻量化和经济化,并且这样的护甲相对于如今的装甲重量轻,更好地提高了作战单位的机动性能。 功能梯度陶瓷即通过微观设计组分材料性能呈规律性变化。比如硼化钛与金属钛以及氧化铝、碳化硅、碳化硼、氮化硅与金属铝等金属/陶瓷复合体系,性能沿厚度位置呈梯度
    防弹陶瓷对材料性能有哪些要求[ 02-11 08:53 ]
    因为陶瓷本身的脆性,其受到弹丸冲击时发生断裂而不是塑性变形。在拉伸载荷作用下,断裂首先发生在非均质处如孔隙和晶界上。因此,为使微观应力集中降低到最小程度,装甲陶瓷应当是孔隙率低(达理论密度值的99%)和细晶粒结构的高质量陶瓷。 目前防弹陶瓷发展迅速,防弹陶瓷材料种类众多,这几种最常用,包括氧化铝、碳化硅、碳化硼、氮化硅、硼化钛等,其中以氧化铝陶瓷(Al2O3)、碳化硅陶瓷(SiC)、碳化硼陶瓷(B4C)应用最广。  
记录总数:1934 | 页数:97  <...6789101112131415...>