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- 碳化硅器件工艺难点在哪里？[ 09-14 17:19 ]
- 衬底片完了之后就是长外延，外延之后就是一系列的光刻，刻蚀，涂胶，沉积，清洗，离子注入等工艺，和硅工艺基本一致，然后就是后道的晶圆切die，封装测试等，基本流程和硅差不多。 其中长外延，光刻胶，背面退火，刻蚀，以及氧化栅极工艺区别，欧姆接触和硅工艺区别非常大。 硅的外延工艺就是普通的硅外延炉之类价格也很便宜国产的大约400-500万一台（8英寸的）；碳化硅的是特殊的MOCVD/HT-CVD，且价格非常贵，基本要800-1500万人民币一台，而且产能很低，一台炉子一个月产能是30片。 外延炉主要是国外
- 为什么碳化硅晶圆成本高？[ 09-13 16:14 ]
- 碳化硅的长晶技术大致有三种，PVT物理气相传输法，HT-CVD高温气相沉积法，以及LPE溶液法。 其中PVT比较主流，优点是简单，可靠，成本可控。CVD对设备要求太高，价格很贵，只有高质量的半绝缘衬底会用这个方法；LPE溶液法能做天然P型衬底，但是缺陷很难控制，还需要时间积累，日本公司不少专注于这个路线。 以PVT法为例，这种方案下碳化硅生长速度只有硅材料生长速度的1/100都不到，144小时只有2cm左右的厚度，实在是太慢了，要想获得更多的产量，只能靠长晶炉数量堆。 目前国外日新技研和PVATe
- 碳化硅现在面临的缺点和掣肘是什么？[ 09-12 15:09 ]
- 碳化硅优点很多，但是目前也仅仅是一个小汽车应用场景上使用，还是无法大规模替代硅功率器件，业内从技术和产业角度来理解有以下这些问题。 首先碳化硅这种材料，在自然界是没有的，必须人工合成，结果必然是成本远远高于可以自然开采的材料，而且碳化硅升华熔点约2700度，且没有液态，只有固态和气态，因此注定不能用类似拉单晶的切克劳斯基法（CZ法）制备，因此第一步晶体生长技术卡住了第一步也是最关键的一步，导致原材料价格过于昂贵。 因此碳化硅6英寸衬底高达1000美金，而6英寸硅片为23美金（150元），两者实在差太多了
- 碳化硅陶瓷在新能源领域的潜力[ 09-05 16:13 ]
- 碳化硅陶瓷是从20世纪60年代开始发展起来的一种先进陶瓷材料，由于具备化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、密度小、耐磨性能好、硬度大、机械强度高、耐化学腐蚀等特性，在精细化工、半导体、冶金、国防军工等领域都有着广泛的应用。 值得关注的是，在近年发展得如火如荼的锂电池领域中，碳化硅陶瓷在其原料的制备环节上也同样发挥着重要作用，如： ①磷酸铁锂正极材料的超细研磨 磷酸铁锂是目前广泛使用的锂电池正极材料之一。由于纳米粒子可减小锂离子嵌入脱出深度和行程，保证大电流放电时容量不衰减，因此“超
- 大面积碳化硅陶瓷膜层化学气相沉积（CVD）技术[ 08-23 16:25 ]
- 光刻机等集成电路关键制造装备中某些高性能光学元件对材料制备有着苛刻的要求，不仅要求材料具有高的稳定性，还需满足某些特定的光学性能要求。反应烧结碳化硅经抛光后其面型精度高，但是该材料是由碳化硅和游离硅组成的两相材料，在研磨抛光等过程各相的去除速率不一致，无法达到更高的面型精度，因此无法满足特定光学部件性能要求。 采用反应烧结碳化硅基体结合化学气相沉积碳化硅(CVDSiC)膜层的方法制备高性能反射镜，通过优化先驱体种类、沉积温度、沉积压力、反应气体配比、气体流场、温度场等关键工艺参数，可实现大面积、均匀CVDSi
