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    氮化硅/碳化硅复合陶瓷材料[ 05-17 16:02 ]
    氮化硅/碳化硅复合陶瓷材料是一种特殊的碳化硅制品,20世纪70年代被广泛应用于磨具磨料以及电陶瓷行业,上世纪80年代我国将该材料进行引入。 氮化硅和碳化硅的密度相近,当柱状的氮化硅穿插在碳化硅颗粒之间并发生烧结,产生的增韧和强化作用远远优于单一材料性能。氮化硅陶瓷的脆性较大,可以与碳化硅材料复合改善脆性,提升断裂韧性;而且碳化硅材料的热稳定性与抗氧化能力在与氮化硅复合之后也能得到改善。 氮化硅/碳化硅复合陶瓷材料莫氏硬度为9左右,仅次于金刚石;常温强度高并且在1200-1400℃时此材料的强度和硬度可以
    SiC器件在各行业中的应用及优势[ 05-16 16:55 ]
    1、电源/大型服务器:用于电源及功率因数校正器内部,减积减重、提高效率、降低损耗。 2、光伏:用于光伏逆变器中,光伏发电产生的电流为直流电,需要通过逆变器转换为交流电以实现并网。采用SiC功率器件可以减积减重;提高逆变转化效率2%左右,综合转换效率达到98%;降低损耗,提高光伏发电站经济效益;SiC材料特性,降低故障率。 3、风电:用于风电整流器、逆变器、变压器,风力发电产生的交流电易受风力影响使得电压、电流不稳定,先要经过整流为直流电后再逆变成交流电实现并网,提高效率、降低损耗,同时成本和质量分别减少
    碳化硅宽禁带半导体目前存在的问题[ 05-14 15:50 ]
    ①大尺寸SiC单晶衬底制备技术仍不成熟。 目前国际上已经开发出了8英寸SiC单晶样品,单晶衬底尺寸仍然偏小、缺陷水平仍然偏高。并且缺乏更高效的SiC单晶衬底加工技术;p型衬底技术的研发较为滞后。 ②n型SiC外延生长技术有待进一步提高。 ③SiC功率器件的市场优势尚未完全形成,尚不能撼动目前硅功率半导体器件市场上的主体地位。 国际SiC器件领域:SiC功率器件向大容量方向发展受限制;SiC器件工艺技术水平比较低;缺乏统一的测试评价标准。 中国SiC功率器件领域存在以下3个方面差距:
    碳化硅半导体产业链[ 05-13 16:42 ]
    碳化硅半导体产业链主要包括“碳化硅高纯粉料→单晶衬底→外延片→功率器件→模块封装→终端应用”等环节。 1碳化硅高纯粉料 碳化硅高纯粉料是采用PVT法生长碳化硅单晶的原料,其产品纯度直接影响碳化硅单晶的生长质量以及电学性能。 碳化硅粉料有多种合成方式,主要有固相法、液相法和气相法3种。其中,固相法包括碳热还原法、自蔓延高温合成法和机械粉碎法;液相法包括溶胶-凝胶法和聚合物热分解法;气相法包括化学气相沉积法、等离子体法和激光诱导
    Soitec发布8英寸SiC衬底,拓展碳化硅产品组合[ 05-12 15:30 ]
    据中国粉体网讯 Soitec近日发布了其首款200mm碳化硅SmartSiC™晶圆。这标志着Soitec公司的碳化硅产品组合已拓展至150mm以上,其SmartSiC™晶圆的研发水准再创新高,可满足汽车市场不断增长的需求。 首批200mmSmartSiC™衬底诞生于Soitec与CEA-Leti合作的衬底创新中心的先进试验线,该中心位于格勒诺布尔。该批200mmSmartSiC衬底将会在关键客户中进行首轮验证,展示其质量及性能。 Soitec于2022年3月
    中泰恒创携手中汇环球投入100亿美元开展碳化硅项目[ 05-11 16:26 ]
    近日,中泰恒创科技有限公司与中汇环球集团有限公司就“拓展碳化硅SiC芯片市场”项目举行签约仪式。此次中泰恒创与中汇环球的合作主要聚焦于共同拓展碳化硅SiC芯片市场方向。 据悉,中汇环球为中泰恒创提供100亿美元以上自主融合国际主权财富基金的参与和支持,主要支持中泰恒创在开发生产IGBT、SBD/MOSFET、BMS/PCS等新型产品,以及建立创新创业产业园。 目前,中泰恒创已落地施行的半导体项目可分为三个阶段,第一阶段收益预计100亿元,第二阶段预计580亿元,到第三阶段完成,整
    中科院物理研究所成功制备单一晶型8英寸SiC晶体[ 05-10 12:22 ]
    近期,中科院物理研究所在宽禁带半导体领域取得重要进展,研人员通过优化生长工艺,进一步解决了多型相变问题,持续改善晶体结晶质量,成功生长出单一4H晶型的8英寸SiC晶体。 SiC器件的成本主要由衬底、外延、流片和封测等环节形成,衬底在SiC器件成本中占比高达约45%。进一步扩大SiC衬底尺寸,在单个衬底上增加器件的数量是降低成本的主要途径。8英寸SiC衬底将比6英寸在成本降低上具有明显优势。8英寸SiC晶体生长的难点在于:首先要研制出8英寸籽晶;其次要解决大尺寸带来的温场不均匀、气相原料分布和输运效率问题;另外
    多孔重结晶碳化硅陶瓷的制备与力学性能表征[ 05-09 16:20 ]
    多孔重结晶碳化硅陶瓷(recrystallizedsiliconCarbides,RSiC)由于纯度极高、不含晶界杂质相而具有优异的高温力学性能、热稳定性、耐腐蚀性能、高热导率以及较小的热膨胀系数,作为高温结构材料广泛用于航空航天等领域。而且由于烧结过程中不收缩,可以制备形状复杂、精度较高的部件。 目前,针对RSiC的研究和应用,一方面在于提高其致密度用于极端环境服役的高温结构材料,另一方面在于提高其气孔率用于高温过滤催化用的多孔结构/功能材料。 高温过滤催化用多孔材料,如用作柴油车尾气颗粒物过滤器(Die
    在单晶生长方面SiC晶体制备的两个难点[ 05-08 08:34 ]
    与传统的单晶硅使用提拉法制备不同,目前规模化生长SiC单晶主要采用物理气相输运法(PVT)或籽晶的升华法。这也就带来了SiC晶体制备的两个难点: 1、生长条件苛刻,需要在高温下进行。一般而言,SiC气相生长温度在2300℃以上,压力350MPa,而硅仅需1600℃左右。高温对设备和工艺控制带来了极高的要求,生产过程几乎是黑箱操作难以观测。如果温度和压力控制稍有失误,则会导致生长数天的产品失败。 2、生长速度慢。PVT法生长SiC的速度缓慢,7天才能生长2cm左右。而硅棒拉晶2-3天即可拉出约2m长的8英
    做一片八英寸SiC晶圆生产难点在哪?[ 05-07 16:27 ]
    目前以硅基为材料的晶圆已经开始从8英寸迈向了12英寸,硅晶圆的生产经验是否可以助力SiC晶圆向更大面积发展,与硅晶圆相比,SiC晶圆的生产难点又在哪里?   包括SiC在内的第三代半导体产业链包括包括衬底→外延→设计→制造→封装。其中,衬底是所有半导体芯片的底层材料,起到物理支撑、导热、导电等作用;外延是在衬底材料上生长出新的半导体晶层,这些外延层是制造半导体芯片的重要原料,影响器件的基本性能;设计包括器件设计和集成电路设计,其中器件设计包括半导体器件的结构、材
    SiC单晶技术研发历史[ 05-06 16:22 ]
    Si和SiC作为半导体材料几乎同时被提出,但由于SiC生长技术的复杂和缺陷、多型现象的存在,其发展曾一度被搁浅。SiC的发展历经了多个重要阶段。第一个阶段是结构基本性质和生长技术的探索阶段,时间跨度从1924年发现SiC结构至1955年Lely法的提出。第二阶段是物理基本性质研究和英寸级别单晶生长的技术积累阶段。在此阶段物理气相传输(PVT)生长方法基本确定、掺杂半绝缘技术被提出,至1994年Wolfspeed推出了商用的2英寸(50.8mm)SiC衬底材料。从1994年以后,随着国际上半导体照明及2英寸SiC单晶
    关于取消召开2022年春季全国磨料磨具行业信息交流会的通知[ 05-05 17:07 ]
    Wolfspeed,Inc位于莫霍克谷200mm SiC 制造工厂正式开业[ 05-04 08:21 ]
    近期,碳化硅(SiC)技术和制造的全球引领者Wolfspeed,Inc.(美国纽约证券交易所上市代码:WOLF)宣布其位于美国纽约州莫霍克谷(MohawkValley)的采用领先前沿技术的SiC制造工厂正式开业。这座200mm(8英寸)晶圆工厂将助力推进诸多产业从Si基产品向SiC基半导体的转型。 据介绍,“莫霍克谷这座全自动新工厂将是全球首座且最大的200mmSiC工厂”,将提供高品质和更高良率晶圆。在莫霍克谷开发的器件对于满足Wolfspeed200+亿美元销售管道(pipelin
    国际半导体行业巨头抢滩8英寸碳化硅晶圆衬底[ 05-02 08:03 ]
    从目前全球市场情况来看,目前SiC半导体市场主要由Wolfspeed、英飞凌、罗姆半导体旗下SiCrystal、II-IV、新日铁住金及道康宁等国外厂商占据着。同时,根据市场的公开资料显示,这些厂商在进入6英寸生产后,在近两年来,其中一部分厂商又对其6英寸产线进行了扩产,并在积极推动SiC向8英寸发展。 在国际知名大厂中,据“三代半风向”统计,目前有7家企业能够生产8英寸SiC晶圆衬底,包括英飞凌、Wolfspeed、罗姆、II-VI、Soitec,意法半导体以及中国的烁科晶体。
    一图搞懂碳化硅——起源篇[ 05-01 17:21 ]
     
    第六届“郑州三磨展”将延期举办[ 04-29 13:04 ]
    受新冠疫情近期发展态势影响,原定于2022年5月26-28日举办的第六届“郑州三磨展”将延期举办。具体举办时间另行通知。
    韩国成立碳化硅产业联盟[ 04-27 13:53 ]
    据 粉体网信息 韩媒ETNews报道,为了开发新一代功率半导体,韩国将于14日正式推出其由国内半导体企业、大学、研究所等组成的“新一代晶体工程部”,以应对碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化镓(GaO)等迅速增长的全球功率半导体市场。 该研究部门的目标是开发以碳化硅(SiC)为基础的国产功率半导体生态系统,还将培育与碳化硅半导体相关的材料、零部件和设备企业的发展,并决定为应对碳化硅半导体市场的增长,组成联盟。 在该联盟中,LXSemiconductor、SKsilt
    景德镇2000吨/年微纳纤维碳化硅特陶项目点火投产[ 04-26 10:05 ]
    近期,位于景德镇昌南新区,专业生产微纳纤维碳化硅的三圆华鑫特种陶瓷项目正式点火投产。据悉,该项目已配置12条生产线,全部投产后,年产能将达到2000吨,到2023年,三圆华鑫公司将进一步扩大产能至5000吨。 据景德镇政府网站信息,去年12月底,广西三环集团投资的三圆华鑫特种陶瓷项目落户昌南新区。项目引进了国际先进的大型真空反应烧结窑炉和各种机加工设备,并与清华大学、景德镇陶瓷大学等先进陶瓷研发机构合作,采用国际领先的工艺和生产标准,研发生产第二代碳化硅窑具。该产品性能稳定,标准化程度高,具备高强度、高硬度、
    在功率型碳化硅供应链中拥有知识产权的主要中国企业[ 04-25 14:38 ]
    目前在功率型碳化硅供应链上的中国专利申请人分类情况表明,目前供应链各个环节中已存在大量拥有知识产权的中国企业。例如,在块状碳化硅领域,中国电科研究所、山东大学和中科院(上海硅酸盐研究所、物理研究所、半导体研究所)等研究机构在中国率先开展了碳化硅晶体生长的研究,并推动了国内工业企业的出现,如北京天科合达(成立于2006年)、山东天岳(成立于2010年)和河北同光晶体(成立于2012年)。 近期,一批新的初创企业从这些研究所诞生,如山西烁科晶体有限公司(中国电科)和广州南沙晶圆半导体技术有限公司(山东大学)。此外
    国内外碳化硅半导体专利情况[ 04-23 13:28 ]
    过去二十多年,日本企业在碳化硅专利数量上独占鳌头,三菱电机、住友电气(SumitomoElectric)、电装(Denso)、富士电机(FujiElectric)和丰田汽车(ToyotaMotor)不断推动专利发展,而中国的碳化硅专利活动自2010年代初兴起,在过去十年增长迅猛。因此,从2018年起,中国专利申请人超越了日本专利申请人,获得了碳化硅知识产权的领导地位。 另外,中国企业近几年在专利申请上持续发力、追赶国外龙头企业,而日本的专利活动从2013年起进入稳定期,反映出日本碳化硅企业达到了高度的技术成熟。&
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