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- 哈尔滨科友半导体6英寸碳化硅衬底正式投产[ 08-25 11:37 ]
- 据粉体圈消息：8月18日，位于哈尔滨新区，投资10亿元建设的科友第三代半导体产学研聚集区项目一期正式投产，预计年底全部达产后可形成年产能10万片6英寸碳化硅衬底的生产能力。 据悉，哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司（科友半导体）成立于2018年，是一家专注于第三代半导体装备研发、衬底制造、器件设计、技术转移和科研成果转化的国家级高新技术企业。去年7月，科友半导体产学研聚集区项目正式开工建设。主要建设中俄第三代半导体研究院、中外联合技术创新中心、科友半导体衬底制备中心、科友半导体高端装备制造中心、国际
- 士兰微启动6吋（150mm）SiC功率器件生产线建设项目[ 08-24 10:28 ]
- 据粉体圈消息：7月30日，杭州士兰微电子股份有限公司发布对外投资进展公告，将启动化合物半导体第二期建设，即实施“SiC功率器件生产线建设项目”，拟建设一条6吋SiC功率器件芯片生产线，项目总投资为15亿元，建设周期3年，最终形成年产14.4万片6吋SiC功率器件芯片的产能（主要产品为SiCMOSFET、SiCSBD）。 2017年12月，士兰微与厦门半导体投资集团有限公司签署了《关于化合物半导体项目之投资合作协议》，双方共同投资设立了厦门士兰明镓化合物半导体有限公司（士兰明镓），在厦门
- 大面积碳化硅陶瓷膜层化学气相沉积（CVD）技术[ 08-23 16:25 ]
- 光刻机等集成电路关键制造装备中某些高性能光学元件对材料制备有着苛刻的要求，不仅要求材料具有高的稳定性，还需满足某些特定的光学性能要求。反应烧结碳化硅经抛光后其面型精度高，但是该材料是由碳化硅和游离硅组成的两相材料，在研磨抛光等过程各相的去除速率不一致，无法达到更高的面型精度，因此无法满足特定光学部件性能要求。 采用反应烧结碳化硅基体结合化学气相沉积碳化硅(CVDSiC)膜层的方法制备高性能反射镜，通过优化先驱体种类、沉积温度、沉积压力、反应气体配比、气体流场、温度场等关键工艺参数，可实现大面积、均匀CVDSi
- 碳化硅陶瓷反应连接技术[ 08-22 17:23 ]
- 全封闭、中空部件的制备一般采用连接工艺获得，目前常用的陶瓷连接方法主要有钎焊、扩散焊等，但这些方法均存在工艺复杂、焊接料性能同碳化硅基体差别大等缺点，难以满足光刻机等集成电路制造装备对复杂结构部件的使用要求。 根据反应烧结碳化硅的工艺特点，将待粘接零部件进行预处理，并通过粘接料对制品进行粘接，随后再进行反应烧结，使制品的连接与反应烧结同步完成。通过调节粘接料的组分、控制连接工艺，可实现复杂结构部件的致密、高强度、无缝隙粘接。
- 高精度碳化硅陶瓷制品无模成型工艺[ 08-20 16:21 ]
- 虽然采用凝胶注模成型工艺可以实现复杂形状陶瓷制品的近净尺寸制备，但该工艺对模具要求高，在制备复杂大尺寸部件时需设计和制造模具，增加了时间成本和模具成本，一定程度上制约了该工艺在陶瓷结构件批量化生产中的应用。另一方面，对一些尺寸精度要求高的陶瓷部件，凝胶注模成型工艺则无法满足其尺寸精度要求。 与传统“自下而上”的无模成型工艺不同，陶瓷素坯加工工艺(Greenceramicmachining,GCM)是一种“自上而下”的工艺，其原理类似金属材料或木材的加工过程如车、
