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    中国电动车市场已成为主要碳化硅器件公司头号目标[ 04-22 15:23 ]
    据预测,未来十年内,电动车市场将保持两位数增长。随着电动车市场渐入佳境,碳化硅(SiC)功率器件前景广阔。事实上,大多数电动车制造商正在整合或评估碳化硅功率器件在不同电动车系统中的使用,包括牵引逆变器、DC-DC转换器和车载充电器。此外,作为大规模推广电动车所必须的快充基础设施,碳化硅功率器件也是不错的选择。 据麦肯锡公司数据,中国已然是全球最大的电动车市场,从2020到2030年间,中国还将以24%的年增速保持最具活力市场的榜首。因此,中国已经成为了主要碳化硅器件公司的头号目标,例如意法半导体(STMicr
    “国内碳化硅第一股”天岳先进发布上市以来的首份年报[ 04-21 17:12 ]
    近期,“国内碳化硅第一股”天岳先进发布上市以来的首份年报。2021年,该公司实现营收4.94亿元,同比增长16.25%;归母净利润8995.15万元,实现扭亏为盈,较上年同期增加7.31亿元。去年销售衬底约5.7万片,产能持续提升。 资料显示,天岳先进是国内宽禁带半导体(第三代半导体)衬底材料生产商,主要从事碳化硅衬底的研发、生产和销售,产品可广泛应用于微波电子、电力电子等领域。今年1月12日,天岳先进正式在科创板上市,成为“国内碳化硅第一股”。 天岳先进
    碳化硅功率器件市场至2027年或翻6倍[ 04-20 14:07 ]
    碳化硅衬底可以分为半绝缘碳化硅衬底和低阻碳化硅衬底。近年来,随着5G产业发展势头的慢慢平稳,低阻碳化硅衬底逐渐要扛起碳化硅产业未来发展的大旗。据YOLE预测,2021年全球碳化硅功率器件的市场规模约为10.9亿美金,而到2027年全球碳化硅功率器件的市场规模将暴增至62.97亿美金,年均复合增长率约为34%。 车规级碳化硅功率器件的研发可追溯到2008年。而丰田汽车早在2014年就推出了应用碳化硅功率器件的普锐斯和凯美瑞混动车,然而真正实现大规模应用碳化硅MOSFET器件的则是车企新贵—&mdas
    近30年的SiC外延系统演变[ 04-19 13:44 ]
    近30年的SiC外延系统演变 Epigress热壁式SiC外延生长系统 •单晶片2”直径 •手动装载和卸载外延片 •过程手动控制 •基于硅烷(SiH4)的工艺–不含氯 •增长率限制在10微米/小时左右 Aixtron暖壁系统 •多晶片6”直径(8”) •自动加载和卸载外延片 •配方控制过程 •基于氯硅烷的工艺
    SiC外延生长常见元素[ 04-18 16:40 ]
    SiC外延生长:常见元素 衬底: •用于电力电子的4H多型 •当前晶圆直径150mm和200mm •定向4°离轴 •双面抛光 •在晶片的硅面上生长的外延 •需要对硅表面进行仔细的化学机械抛光(cmp)以减少缺陷 生长参数: •温度~1650oC •压力~50-100mbar •硅源 •碳源 •掺杂气体 •C
    SiC相对于Si器件的优势[ 04-17 15:34 ]
    SiC相对于Si器件的优势: •SiC的宽带隙允许更薄的外延层来阻挡给定的电压 •较薄的漂移层降低了整体器件电阻 •更高的电子饱和速度允许更高频率的运行 •SiC的高导热性允许器件在>200C的高温下运行
    SiC的不同晶体结构[ 04-16 13:30 ]
    由于Si与C双原子层堆积序列的差异会导致不同的晶体结构,SiC有着超过200种(目前已知)同质多型族。 其中最被人熟知的便是立方密排的3C-SiC和六方密排的2H-SiC、4H-SiC、6H-SiC(碳化硅具有优良的物理和化学性能)。 最常用的多型是: 4H-SiC——功率集成电路应用 6H-SiC——射频应用 在不同的晶面上生长不同的晶锭多型体: 4H-SiC——在碳(C)面晶种上生长 6H-SiC&
    士兰微:6寸SiC功率器件芯片生产线预计今年Q3通线[ 04-15 17:26 ]
    近日,士兰微在接受机构调研时表示,SiC生产线目前还是中试线。公司已着手在厦门士兰明镓公司建设一条6吋SiC功率器件芯片生产线,预计在2022年三季度实现通线。   据了解,士兰微2022年营收主要增长点主要是IPM模块、PIM模块、MEMS传感器、AC-DC电路、DC-DC电路、手机快充芯片、PoE电路、IGBT、MOSFET、FRD等产品。士兰微表示,未来公司对集成电路板块的规划和战略的重点会放在车规和工业级电源管理产品、功率IC、信号链和混合信号处理电路、MEMS传感器等。  
    碳化硅半导体市场大爆发[ 04-14 16:21 ]
    据yole介绍,受汽车应用的强劲推动,尤其是在EV主逆变器方面的需求,sic市场高速增长。 据报告,继特斯拉采用SiC后,2020年和2021年又有多款新发布的EV和公告。此外,特斯拉创纪录的出货量帮助SiC器件在2021年达到10亿美元的规模。他们指出,为了满足长续航的需求,800VEV是实现快速直流充电的解决方案。这就是1200VSiC器件发挥重要作用的地方。 根据报告,截至2022年,比亚迪的Han-EV和现代的Ioniq-5通过提供快速充电功能获得了不错的销量。Nio、Xpeng等更多OEM计划
    国产高端8/12英寸晶圆减薄机加速实现产业化[ 04-13 13:16 ]
    北京中电科电子装备有限公司(以下简称“北京中电科”)在国家科技部和电科装备的大力支持下,依托已有晶圆减薄机技术的优势,突破了高速大扭矩减薄气浮主轴、高精度晶片减薄厚度精密控制等核心技术,成功推出了自主研发的8/12英寸全自动晶圆减薄机的产业化机型,目前已有20多台不同型号设备被用于集成电路材料加工、芯片制造、先进封装等工艺段的产品量产,获得行业客户的高度认可。随着8英寸全自动减薄机在西安封测龙头企业实现流片,12英寸全自动减薄机在国内多家大型硅片制造企业实现Inline生产,设备各项工艺指标
    碳化硅陶瓷换热器的优点[ 04-12 14:14 ]
    碳化硅陶瓷换热器有以下几个优点: (1)碳化硅陶瓷换热器的使用方法直接、简单、快捷、高效、环保、节能。不需掺冷风及高温保护,维修成本低,无需对陶瓷换热器进行任何操作。适用于各种环境的燃气工业窑炉的余热回收利用,尤其解决了各种高温工业窑炉余热温度过高无法利用的难题; (2)国家要求陶瓷换热器温度≥1000℃,由于它耐高温,所以就可以放在高温区域,温度越高,换热效果越好,节能越多; (3)高温情况下替代金属换热器; (4)解决化工行业热交换、耐腐蚀的难题; (5)碳化硅陶瓷换热器适应
    碳化硅陶瓷换热器的研究背景及现状[ 04-11 15:11 ]
    上世纪八十年代,国外曾用碳化硅化热元件制作陶瓷换热器。我国成都科技大学化机教研室八十年代研制碳化硅管高温换热器,并于1986年用于碳酸钾工业生产。该换热器主要换热元件由碳化硅陶瓷材料组成,高温烟气在管外,被加热气体在管内,两者呈错流。碳化硅管可承受1540℃高温,所以高温烟气可直接进入换热器中进行交换。高温烟气有较大的辐射热,而碳化硅管可以充分利用高温气体辐射传热和火焰辐射传热。该技术在碳酸钾生产中应用,节能和增产都获得明显的效果。使用碳化硅管换热器后,空气预热温度从350℃提高到500℃,加快了干燥温度,日产量由
    Microchip推出3.3kV碳化硅(SiC)功率器件[ 04-09 16:06 ]
    近期,Microchip宣布扩展其SiC产品组合,推出业界最低导通电阻[RDS(on)]3.3kVSiCMOSFET和最高额定电流SiCSBD。 Microchip分立产品业务部副总裁LeonGross表示:我们新的3.3kVSiC功率产品系列使客户能够轻松、快速、自信地转向高压SiC,并受益于这种令人兴奋的技术相对于基于硅设计的诸多优势。”
    安森美利用SiC/GaN推出大功率图腾柱PFC控制器[ 04-09 09:01 ]
    近日,安森美推出了全新的大功率图腾柱PFC控制器,这是一款利用图腾柱PFC技术实现高效电源的产品。 除了图腾柱PFC控制器,Onsemi还为图腾柱的评估板提供SiCMOSFET和GaNHEMT。使用Si-MOSFET用于交流线路同步整流器;利用GaNHEMT单元用于高速开关。 图腾柱PFC
    英飞凌推出全新 CoolSiC MOSFET[ 04-08 13:50 ]
    近日,英飞凌宣布在其现有的高压碳化硅(SiC)MOSFETCoolSic系列中增加一个650V系列。 该产品建立在其先进的SiC沟槽技术之上。与上一代硅(Si)半导体相比,这些650V系列MOSFET的反向恢复电荷(Qrr)和漏源电荷(Qoss)降低了80%,即使在较高电流下也能实现出色的开关性能。这些降低的开关损耗允许高频、高效操作,从而能够使用更小的滤波组件,并最终提高功率密度。
    AehrTestSystems宣布:收到2230万碳化硅晶圆订单[ 04-07 13:41 ]
    近日,AehrTestSystems宣布,其领先的碳化硅已收到超过350万美元(2230万人民币)的订单WaferPak™全晶圆接触器的测试和老化客户,用于多种新的碳化硅器件设计以及多个碳化硅器件的批量生产能力订单,这些器件现在正在加速生产以满足电动汽车(EV)半导体的批量生产能力。 Aehr的FOX-XP系统和WaferPaks不仅支持目前大量出货的6英寸(150毫米)直径碳化硅晶圆,而且还支持未来的8英寸(200毫米)晶圆。
    国星光电:SiC功率分立器件已完成多个试产订单[ 04-06 13:39 ]
    近日,国星光电发布年度业绩报告,报告期内推出了SiC功率分立器件、SiC功率模块、GaN器件3大系列产品。 其中,SiC功率模块及GaN器件新品实验线已投入生产运作,可迅速响应对接客户个性化的需求;SiC功率分立器件产品产线已投入使用,并完成了多个合作商的试产订单。同时,他们也积极布局三代半上游外延芯片领域,子公司国星半导体现已具备硅基GaN芯片相关技术储备,并积极与高校和研究所展开GaN功率器件等的研发工作,并参与了两项第三代半导体方向的省级研发项目。
    恩智浦、日立合作共同加速SiC在EV中的应用[ 04-05 10:37 ]
    3月21日,恩智浦官网发布公告称,他们与日立能源合作,加速在电动汽车中采用碳化硅(SiC)功率半导体模块。 该项目旨在为由恩智浦GD3160隔离式高压栅极驱动器和日立能源SiCMOSFET功率模块组成的动力总成逆变器提供更高效、可靠和功能安全的基于SiCMOSFET的解决方案。
    科友碳化硅项目7月将投产[ 04-04 11:46 ]
    3月26日,位于哈尔滨新区江北一体发展区的科友半导体产学研聚集区项目复工。据悉,该项目占地4.5万平方米,总投资10亿元,将打造成集技术开发、装备设计、衬底制造等在内的全产业链科技成果转化及产业化应用研究聚集区。 其一期在建的生产车间大楼于去年10月封顶,目前正在进行二次结构砌筑。预计生产车间、办公楼及展示厅7月份全部交工验收,正式投产。
    三安:2025年6寸碳化硅晶圆需求达437万片[ 04-03 10:30 ]
    近日,三安光电董事长特别助理、北京三安光电有限公司总经理陈昭亮演讲。陈昭亮指出,2025年全球碳化硅衬底与晶圆的情况将出现供不应求的局面,2025年6寸碳化硅晶圆需求在饱受与乐观情形下分别为219和437万片。 根据Yole预测,车用碳化硅需求占全行业的60%,其他代表性行业,光伏、储能、充电基建、电源、轨交等对碳化硅的需求占40%,由此推算,2025全球需要6寸碳化硅晶圆保守估计365万片。碳化硅产能缺口将达到123万片,在乐观情形下达到的728万片,碳化硅产能的缺口达到468万片,全球碳化硅衬底与晶圆将出
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