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[行业资讯]最新碳化硅价格行情[ 2024-07-11 11:30 ]

在科技的日新月异中，碳化硅（SiC）作为新一代半导体材料的代表，正以其卓越的性能和广泛的应用前景，引领着电子产业的绿色革命。随着全球对可持续发展和节能减排的日益重视，碳化硅材料因其高效率、耐高温、抗高压等特性，在电力电子、新能源汽车、5G通讯等领域展现出巨大的市场潜力。近期，碳化硅的价格走势成为业界关注的焦点。据行业分析，2024年第二季度，受全球芯片需求增长和供应链调整的影响，碳化硅材料及其器件的价格呈现出稳中有升的趋势。一方面，新能源汽车行业的迅猛发展，对高性能、低能耗的功率半导体提出了更高要求，碳化硅二极

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[行业资讯]碳化硅衬底领域国产替代成效显著[ 2022-09-17 15:03 ]

碳化硅作为第三代半导体材料的主要代表之一，其技术发展也至关重要。虽然国内碳化硅的技术水平与国外有所差距，但国内企业在2-6英寸的半绝缘型和导电型碳化硅衬底领域均已实现部分国产替代，8英寸晶圆也在研制过程中，国产替代进程讲持续突破。碳化硅市场产业链主要分为晶圆衬底制造、外延片生产、碳化硅器件研发和装备封装测试四个部分，分别占市场总成本的50%、25%、20%、5%，由于具备晶体生长过程繁琐，晶圆切割困难等特点，碳化硅衬底的制造成本一直处于高位。目前高质量衬底的应用主要集中于WolfSpeed、II-VI、RO

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[行业资讯]宽禁带半导体材料的优点[ 2022-09-09 17:05 ]

碳化硅，氮化镓有个很拉风的名字叫宽禁带半导体材料，国内也叫第三代半导体。它特指禁带宽度超过2.2eV的材料主要是碳化硅（3.2eV）和氮化镓（3.34eV）；超过4.0eV叫超宽禁带半导体材料，国内叫第四代半导体材料，包括氮化铝（AlN），金刚石（C），氧化镓（Ga2O3）和氧化锌（ZnO），就是上上周美国搞制裁的那个，有意思的是美国只禁了氧化镓和金刚石，不提氮化铝和氧化锌，嘿嘿！说明他们这块不行，氮化铝可能还是日本和中国搞的出色些。禁带宽度物理意义是实际上是反映了价电子被束缚强弱程度的一个物理量，也就是产

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[行业资讯]晶盛机电成功研发出8英寸N型SiC晶体[ 2022-08-26 17:05 ]

8月12日消息，经过晶体实验室研发团队半年多的技术攻关，晶盛首颗8英寸N型SiC晶体成功出炉，标志着晶盛第三代半导体材料SiC研发自此迈入8英寸时代，同时这也是晶盛在宽禁带半导体领域取得的又一标志性成果。据了解，此次研发成功的8英寸SiC晶体，晶坯厚度25mm，直径214mm，是晶盛在大尺寸SiC晶体研发上取得的重大突破。在技术上，晶盛成功解决了8英寸晶体生长过程中多个难点问题，比如温场不均、晶体开裂、气相原料分布等等。此外，还破解了SiC器件成本中衬底占比过高的难题，为大尺寸SiC衬底广泛

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[行业资讯]天岳先进6英寸导电型碳化硅衬底获14亿订单[ 2022-08-12 14:25 ]

粉体圈消息：近期，天岳先进发布公告，公司签署了时长三年(2023-2025)的6英寸导电型碳化硅衬底产品销售合同，据测算，预计含税销售三年合计金额为人民币13.93亿元。但对于签约客户名称和具体情况，天岳先进本次并未披露。去年12月30日，天岳先进首次公开发行股票并在科创板上市，据招股说明书，拟募集资金20亿元主要用于碳化硅半导体材料项目，该项目主要用于生产6英寸导电型碳化硅衬底材料，计划于2026年达产，达产后将新增碳化硅衬底材料产能约30万片/年。今年6月，天岳先进在投资者互动平台表示，他们已成

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[常见问题解答]碳化硅器件被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源器件”[ 2022-07-19 16:23 ]

2018年，特斯拉在Model3电驱主逆变器上，率先采用了意法半导体供应的650VSiCMOSFET器件，碳化硅器件开始逐渐成为市场发展的热点。碳化硅为代表的第三代半导体是支撑新能源汽车发展的关键技术之一。其中碳化硅功率模块是新能源汽车电机驱动系统的关键部件，具备耐高压、耐高温、高开关频率、低开关损耗等特点，对整车的主要技术指标和整体性能有着重要影响。碳化硅SiC是高温、高频、抗辐射、大功率应用场合下极为理想的半导体材料。由于碳化硅功率器件可显著降低电子设备的能耗，因此碳化硅器件也被誉为带动“新

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[行业资讯]新能源车用半导体价值量提升碳化硅倍受期待[ 2022-07-13 09:12 ]

一直以来，硅是制造半导体芯片最常用的材料，目前90%以上的半导体产品是以硅为衬底制成的。究其原因，是硅的储备量大，成本比较低，并且制备比较简单。然而，硅在光电子领域和高频高功率器件方面的应用却受阻，且硅在高频下的工作性能较差，不适用于高压应用场景。这些限制让硅基功率器件已经渐渐难以满足新能源车及高铁等新兴应用对器件高功率及高频性能的需求。在这个背景下，碳化硅走到了聚光灯下。相比于第一代和第二代半导体材料，SiC具有一系列优良的物理化学特性，除了禁带宽度，还具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度

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[行业资讯]中电化合物携手浙大，聚焦碳化硅和氮化镓[ 2022-06-23 16:09 ]

近日，中电化合物半导体有限公司和浙江大学材料科学与工程学院成立联合培养实践基地。旨在加强产学研合作，聚焦碳化硅和氮化镓材料，培养兼具丰富理论知识和实践能力的高层次材料工程人才。中电化合物以此为契机，加大人才引进力度，以创新为抓手，持续研发投入，打造公司的核心竞争力。中电化合物公司是由中国电子下属的华大半导体投资的一家做碳化硅SiC晶体、衬底、外延片和GaN外延片产品的专业化宽禁带半导体材料制造企业。 2019年，中电化合物半导体项目落户在宁波杭州湾新区，是浙江省首个第三代半导体项目，总

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[行业资讯]比亚迪等新能源车企扎堆布局碳化硅产业迎来爆发式增长[ 2022-06-21 11:30 ]

近期，新能源车企加快布局碳化硅（SiC）步伐，相关领域投资迎来密集落地。日前，新能源汽车龙头比亚迪入股天域半导体，华为关联公司深圳哈勃科技投资也于去年入股该公司。资料显示，天域半导体是国内第一家获得汽车质量认证（IATF16949）的碳化硅半导体材料供应链企业，目前正积极突破研发8英寸SiC工艺关键技术。6月初，碳化硅功率器件公司深圳基本半导体宣布完成C2轮融资，由广汽资本等机构联合投资。5月下旬，由理想汽车及三安光电共同出资组建的碳化硅车规芯片模组公司苏州斯科半导体落户苏州。作为第三代半导体材料的

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[行业资讯]德智新材投资2.5亿半导体用碳化硅蚀刻环项目完成主体工程建设[ 2022-06-17 17:19 ]

近日，在新马工业园内，湖南德智新材料有限公司半导体用碳化硅蚀刻环项目完成了主体工程建设，并预计在明年初投产，一项“卡脖子”的高精尖技术，即将在株洲顺利实现产业化。 SiC刻蚀环是半导体材料在等离子刻蚀环节中的关键耗材，在半导体芯片产业链上是一种不可或缺的重要材料。SiC刻蚀环对纯度要求极高，因此只能采用CVD工艺进行生长SiC厚层块体，随后经精密加工而制得，主要用于半导体刻蚀工艺的制备环节。长期以来，围绕半导体及其配套材料的发展一直是我国生产制造中的薄弱环节，但因其技术壁垒高，长期被美

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[常见问题解答]第三代半导体——碳化硅究竟用在哪？[ 2022-06-06 16:37 ]

SiC是目前相对成熟、应用最广的宽禁带半导体材料，基于SiC的功率器件相较Si基器件具有耐高压、耐高温、抗辐射、散热能力佳、导通损耗与开关损耗更低、开关频率更高、可减小模块体积等杰出特性，不仅可广泛用于电动汽车驱动系统、列车牵引设备、充电桩、开关电源、光伏逆变器、伺服电机、高压直流输电设备等民用场景，还可显著提升战斗机、战舰等军用系统装备的性能。 1.新能源汽车车载充电机（OBC）：车载充电机是指固定在汽车上，可将地面的交流充电桩输入的交流电转换为直流电，直接给动力电池充电，充电过程中宜由车载充电机提

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[行业资讯]碳化硅芯片产业未来可期[ 2022-05-23 17:12 ]

集微网消息，当前，汽车动力系统在发生三大变化，动力来源从内燃机演变为电动机，功率半导体材料从硅转向碳化硅，电压平台从400V升级到800V。跨入新能源汽车，为了满足大电流、高电压的需求，搭载的功率半导体也大幅提升，具体而言，碳化硅功率器件在新能源汽车中的应用场景包括：主驱逆变器、OBC（车载充电器）、快速充电桩，以及大功率DC/DC等。其中，碳化硅在800V主电机控制器应用是大势所趋。 ST最早量产并大量应用于特斯拉，并用较低的价格抢占市场份额，以达到规模经济。在过去的几年时间里，全球碳化硅市场上相关企业动作

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[行业资讯]蔚来下一代电动车将选用安森美最新SiC功率模块[ 2022-05-18 15:07 ]

近年来，新能源汽车遭遇的技术瓶颈主要是如何进一步提升车辆的经济性。为此，全球汽车行业已向碳化硅（SiC）制成的芯片行业投资数十亿美元，皆因业界认为这类技术可以帮助他们制造高性能电动汽车。近期，安森美（onsemi）宣布全球汽车创新企业蔚来（NIOInc.）为其下一代电动车（EV）选用安森美的最新VE-TracTMDirectSiC功率模块。这种以碳化硅为基础的功率模块能使电动车的续航里程更远、能效更高，加速度也更快。两家公司合作加快SiC技术商业化的进程，为市场带来配备先进半导体材料的电动车。据悉，

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[行业资讯]SiC单晶技术研发历史[ 2022-05-06 16:22 ]

Si和SiC作为半导体材料几乎同时被提出，但由于SiC生长技术的复杂和缺陷、多型现象的存在，其发展曾一度被搁浅。SiC的发展历经了多个重要阶段。第一个阶段是结构基本性质和生长技术的探索阶段，时间跨度从1924年发现SiC结构至1955年Lely法的提出。第二阶段是物理基本性质研究和英寸级别单晶生长的技术积累阶段。在此阶段物理气相传输(PVT)生长方法基本确定、掺杂半绝缘技术被提出，至1994年Wolfspeed推出了商用的2英寸(50.8mm)SiC衬底材料。从1994年以后，随着国际上半导体照明及2英寸SiC单晶

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[行业资讯]华为猛投SiC赛道有何战略意图？[ 2022-03-21 16:13 ]

去年9月底，华为发布了《数字能源2030》白皮书，白皮书中指出，“电力电子技术和数字技术成为驱动能源产业变革的核心技术”。更高电压、更高效率、更高功率密度代表了电力电子器件技术的发展方向。在2020年之前的50年中，硅基电力电子器件技术日益成熟，产业规模不断壮大，在能源领域发挥了不可或缺的作用。然而受材料特性所限，硅基电力电子器件性能正在接近其理论极限，难以继续支撑技术和产业快速前进的要求。进入新世纪以来，尤其是从2010年至今，诸多新兴的半导体材料凭借优越的材料特性为电力电子器件技术带来了

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[行业资讯]晶盛机电年产40万片碳化硅衬底晶片生产项目3月开工[ 2022-03-04 09:30 ]

近日，由浙江晶盛机电股份有限公司总投资50亿元建设的“碳化硅衬底晶片生产项目”落户宁夏银川。其中，一期预计3月开工建设，投资总额33.6亿元，一期建成达产后预计年产6英寸碳化硅晶片40万片。晶盛机电主要围绕硅、碳化硅、蓝宝石三大主要半导体材料开展业务，具备全球最大的700Kg蓝宝石生长能力。据2月7日募资投建碳化硅衬底晶片生产基地项目和年产80台套半导体材料抛光及减薄设备生产制造项目的公告披露，晶盛机电已组建一条从原料合成-晶体生长-切磨抛加工的中试产线，6英寸碳化硅晶片已获得客户验

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[金蒙新材料百科]碳化硅技术在家电行业的应用[ 2022-02-26 13:37 ]

回溯半导体技术的发展历程，大致分为3个时代。第一代半导体材料主要是硅和锗，上世纪60年代之后，硅基半导体逐渐成为主流，直到现在依然是应用最为广泛的半导体材料，全球95%以上的芯片是以硅片为基础材料制成的。第二代半导体材料的代表是砷化镓，可以制造更高频、高速的集成电路，但是以目前的需求来看，砷化镓材料的禁带宽度依然较小。第三代半导体材料是以碳化硅、氮化镓为代表的材料，可以制备耐高压、高频的功率器件。这些材料中，碳化硅是综合性能最好、商品化程度最高、技术最成熟的第三代半导体材料，目前已经在5G通信、PD快充、新能源汽车

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[行业资讯]河南：积极布局5G、半导体材料产业，重点发展碳化硅、氮化镓等第三代半导体材料[ 2022-02-18 08:40 ]

在5G方面，要培育引进一批5G智能终端、通信模组、天馈线、5G小型化基站设备、5G高频元器件等制造企业和项目，加快形成5G关键器件及材料生产能力。建设5G产品监测、认证、入网检测等公共服务平台，搭建5G创新中心，提高产业发展综合服务水平。实施5G融合应用工程，重点推动5G在工业互联网、车联网、智慧城市、智慧农业、智慧医疗等领域融合应用，打造一批5G标杆应用场景。在半导体方面，积极布局半导体材料产业，发展以碳化硅、氮化镓为重点的第三代半导体材料，提升大尺寸单晶硅抛光片、电子级高纯硅材料、区熔硅单晶研发及产业化

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[行业资讯]碳化硅单晶衬底是半导体功率器件产业链上极为关键一环[ 2022-02-17 10:08 ]

碳化硅器件性能非常突出，但其生产过程可谓是困难重重。其产业链贯穿了材料、芯片设计、制造工艺等各个环节。相对传统硅基技术而言，宽禁带功率器件由于采用了SiC半导体材料，在各关键技术环节也会遇到新的问题与挑战。 SiC半导体功率器件产业链从技术的角度来说，与硅基功率器件制作工艺不同，碳化硅器件不能直接制作在碳化硅单晶材料上，需要在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，最后在外延层上制造各类器件。传统的碳化硅外延基于高品质碳化硅单晶衬底，以实现晶格匹配和降低缺陷密度（微管、位错、层错等）。即是说

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[行业资讯]住友矿山将量产碳化硅功率半导体晶圆[ 2022-01-11 14:19 ]

如今，以碳化硅为代表的第三代半导体材料功率器件在各项性能指标上较现有硅基功率器件有飞跃性的提升。当纯电动汽车的逆变器采用碳化硅功率半导体时，可以降低电力损耗，因此耗电量可以比硅功率半导体大幅降低。据外媒消息，住友金属矿山（简称住友矿山）开始量产新一代功率半导体使用的晶圆，材料采用的是碳化硅，新一代功率半导体面向纯电动汽车（EV）等的需求有望扩大。住友矿山要抢占Wolfspeed等领先企业的市场，预计2025年实现月产1万片。为了进一步降低碳化硅晶圆的成本，住友矿山开发出了相关技术，在因结晶不规则而价

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